IPB073N15N5ATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB073N15N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPB110P06LMATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB073N15N5ATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | OptiMOS 5 (superjunction trench) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 114 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7.3 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissition (PD) at Tc=25°C | 214 W | — |
| Paket | PG-TO263-3-2 (D2PAK-3L, surface mount) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount (SMD) | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (junction) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Configuration | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| Paket / Kas | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |