IPB073N15N5ATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB073N15N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB110P06LMATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB073N15N5ATMA1 IPB110P06LMATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 (superjunction trench) OptiMOS (trench MOSFET)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 114 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissition (PD) at Tc=25°C 214 W —
پیکیج PG-TO263-3-2 (D2PAK-3L, surface mount) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (SMD) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (suffix ATMA1) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (junction) -55 C to +175 C (TJ)
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL level] —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
پیکیج / کیس — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں