IPB60R190C6ATMA1 vs IPA60R190C6 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB60R190C6ATMA1 द्वारा Infineon और IPA60R190C6 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB60R190C6ATMA1 | IPA60R190C6 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET | Superjunction (SJ) / CoolMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 151 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 190 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 32 nC | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | -55C to +150C |
| पैकेज | PG-TO263-3 (D2PAK) | TO-220 FullPAK (TO-220FP-3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through-Hole (isolated tab) |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| MSL स्तर | 1 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS per datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS C6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 20.2 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 190 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Rise Time tr typ | — | [DATA_NEEDED: tr] |
| Fall Time tf typ | — | [DATA_NEEDED: tf] |
| Avalanche Energy EAS | — | [DATA_NEEDED: EAS] |
| Power Dissipation Ptot at TC=25C | — | [DATA_NEEDED: Ptot] |
| Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Channel Polarity | — | N-Channel |