IPB60R190C6ATMA1 vs IPA60R190C6 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB60R190C6ATMA1 tarafından Infineon ve IPA60R190C6 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB60R190C6ATMA1 | IPA60R190C6 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET | Superjunction (SJ) / CoolMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 151 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 190 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 32 nC | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Paket | PG-TO263-3 (D2PAK) | TO-220 FullPAK (TO-220FP-3) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Through-Hole (isolated tab) |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS per datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS C6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 20.2 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 190 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Rise Time tr typ | — | [DATA_NEEDED: tr] |
| Fall Time tf typ | — | [DATA_NEEDED: tf] |
| Avalanche Energy EAS | — | [DATA_NEEDED: EAS] |
| Power Dissipation Ptot at TC=25C | — | [DATA_NEEDED: Ptot] |
| Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Channel Polarity | — | N-Channel |