IPD046N08N5ATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD046N08N5ATMA1 द्वारा Infineon और IPB027N10N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD046N08N5ATMA1 | IPB027N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) |
| RoHS स्थिति | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| पैकेज | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: exact °C/W value] |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] |