IPD046N08N5ATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD046N08N5ATMA1 bằng Infineon và IPB027N10N3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD046N08N5ATMA1 IPB027N10N3GATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS™ 5 80V —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp / Vỏ PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Trạng thái RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 2.7 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55°C to +175°C (TJ)
Hộp — PG-TO263-3 (D2PAK)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: exact °C/W value]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá