IPD046N08N5ATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD046N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB027N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD046N08N5ATMA1 IPB027N10N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS™ 5 80V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
پیکیج / کیس PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
RoHS اسٹیٹس ROHS3 Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 2.7 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +175°C (TJ)
پیکیج — PG-TO263-3 (D2PAK)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: exact °C/W value]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں