IPD046N08N5ATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD046N08N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPB027N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD046N08N5ATMA1 IPB027N10N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS™ 5 80V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Paket / Kas PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
RoHS Durumu ROHS3 Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 2.7 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C (TJ)
Paket — PG-TO263-3 (D2PAK)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: exact °C/W value]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin