IPD082N10N3GATMA1 vs BSC0901NSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD082N10N3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC0901NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD082N10N3GATMA1 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +175°C | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 28 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C |
| पैकेज | — | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |