IPD082N10N3GATMA1 vs BSC0901NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD082N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0901NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD082N10N3GATMA1 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | — |
| پیکیج / کیس | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 28 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C |
| پیکیج | — | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| نمی حساسیت کی سطح (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |