IPD082N10N3GATMA1 vs BSC0901NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD082N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC0901NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD082N10N3GATMA1 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +175°C | — |
| Paket / Kas | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 28 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| Paket | — | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |