IPD30N06S2L13ATMA4 vs IPD90P04P4L04ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD30N06S2L13ATMA4 द्वारा Infineon और IPD90P04P4L04ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD30N06S2L13ATMA4 | IPD90P04P4L04ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS | — |
| Channel Type | N-Channel | P-Channel |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 55 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 30 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 136 W (Tc) | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Green Package) | — |
| Avalanche Tested | 100 % production-tested | — |
| Technology | Planar (OptiMOS) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold (Vgs(th)) | Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] | — |
| Diode Reverse Recovery (trr) | [DATA_NEEDED: trr typ] | — |
| पिन काउंट | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (T&R per IEC 60286-3) | — |
| Part Number | — | IPD90P04P4L04ATMA2 |
| Family | — | OptiMOS-P2 |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | -90 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 125 W |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | — | 4.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C |
| पिन की संख्या | — | 3 (2 + Tab) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |