IPD30N06S2L13ATMA4 vs IPD90P04P4L04ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N06S2L13ATMA4 tarafından Infineon ve IPD90P04P4L04ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD30N06S2L13ATMA4 | IPD90P04P4L04ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS | — |
| Channel Type | N-Channel | P-Channel |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 55 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 30 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 136 W (Tc) | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Green Package) | — |
| Avalanche Tested | 100 % production-tested | — |
| Technology | Planar (OptiMOS) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold (Vgs(th)) | Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] | — |
| Diode Reverse Recovery (trr) | [DATA_NEEDED: trr typ] | — |
| Pin Sayısı | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (T&R per IEC 60286-3) | — |
| Part Number | — | IPD90P04P4L04ATMA2 |
| Family | — | OptiMOS-P2 |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | -90 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 125 W |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | — | 4.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + Tab) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |