IPD30N06S2L13ATMA4 vs IPD90P04P4L04ATMA2 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD30N06S2L13ATMA4 bằng Infineon và IPD90P04P4L04ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ Hoạt động
Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD30N06S2L13ATMA4 IPD90P04P4L04ATMA2
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS —
Channel Type N-Channel P-Channel
Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vds) 55 V -40 V
Continuous Drain Current (Id) 30 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 136 W (Tc) —
Hộp PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C (Tj) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Lead-Free / RoHS Yes (Green Package) —
Avalanche Tested 100 % production-tested —
Technology Planar (OptiMOS) —
On-State Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] —
Gate-Source Threshold (Vgs(th)) Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] —
Diode Reverse Recovery (trr) [DATA_NEEDED: trr typ] —
Số chân 3 (Drain tab + Gate + Source) —
Tape and Reel Packaging Yes (T&R per IEC 60286-3) —
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Family — OptiMOS-P2
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 C to +175 C
Số lượng chân — 3 (2 + Tab)
Trạng thái RoHS — Compliant
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá