IPD30N06S2L13ATMA4 vs IPD90P04P4L04ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N06S2L13ATMA4 بذریعہ Infineon اور IPD90P04P4L04ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ فعال
Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD30N06S2L13ATMA4 IPD90P04P4L04ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS —
Channel Type N-Channel P-Channel
Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vds) 55 V -40 V
Continuous Drain Current (Id) 30 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 136 W (Tc) —
پیکیج PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 °C to +175 °C (Tj) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Lead-Free / RoHS Yes (Green Package) —
Avalanche Tested 100 % production-tested —
Technology Planar (OptiMOS) —
On-State Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] —
Gate-Source Threshold (Vgs(th)) Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] —
Diode Reverse Recovery (trr) [DATA_NEEDED: trr typ] —
پن کی تعداد 3 (Drain tab + Gate + Source) —
Tape and Reel Packaging Yes (T&R per IEC 60286-3) —
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Family — OptiMOS-P2
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
پنز کی تعداد — 3 (2 + Tab)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں