IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD30N10S3L34ATMA1 द्वारा Infineon और IPD33CN10NGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon | PG-TO252

IPD33CN10NGATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon | PG-TO252

IPD33CN10NGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD30N10S3L34ATMA1 IPD33CN10NGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55°C to +175°C —
पैकेज PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL स्तर 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 58 W
Technology — OptiMOS (Trench)
पिन काउंट — 3 (Gate, Drain, Source)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +175C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free — Yes

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