IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD30N10S3L34ATMA1 מאת Infineon ו IPD33CN10NGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPD30N10S3L34ATMA1 | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 57 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 31 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | 23 nC | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55°C to +175°C | — |
| מארז | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| רמת MSL | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | 1 |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche tested | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 27 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 58 W |
| Technology | — | OptiMOS (Trench) |
| מספר פינים | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |