IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N10S3L34ATMA1 tarafından Infineon ve IPD33CN10NGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N10S3L34ATMA1 IPD33CN10NGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Transistor Türü N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL Seviyesi 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 58 W
Technology — OptiMOS (Trench)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin