IPD33CN10NGATMA1 vs IPG20N06S4L14AATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD33CN10NGATMA1 द्वारा Infineon और IPG20N06S4L14AATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD33CN10NGATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon | PG-TO252
IPD33CN10NGATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD33CN10NGATMA1 | IPG20N06S4L14AATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 58 W | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS™ Trench |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (TJ) | -55°C to +175°C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPG20N06S4L14AATMA1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 50 W |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 13.7 mΩ typical |
| RDS(on) at VGS=4.5V | — | 14 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Logic-Level Gate Drive | — | Yes |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Peak Reflow Temperature | — | 260°C |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Green Product (RoHS compliant) |
| AOI Compatible | — | Yes (Wettable Flank) |