IPD33CN10NGATMA1 vs IPG20N06S4L14AATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD33CN10NGATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N06S4L14AATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD33CN10NGATMA1 | IPG20N06S4L14AATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 58 W | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS™ Trench |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (TJ) | -55°C to +175°C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPG20N06S4L14AATMA1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 50 W |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 13.7 mΩ typical |
| RDS(on) at VGS=4.5V | — | 14 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Logic-Level Gate Drive | — | Yes |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Peak Reflow Temperature | — | 260°C |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Green Product (RoHS compliant) |
| AOI Compatible | — | Yes (Wettable Flank) |