IPD50N04S408ATMA1 vs IPC50N04S55R8ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD50N04S408ATMA1 द्वारा Infineon और IPC50N04S55R8ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD50N04S408ATMA1 | IPC50N04S55R8ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| Polarity | N-Channel | Enhancement Mode |
| Mode | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (V DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | 50 A | — |
| Power Dissipation (P D, Tc) | 46 W | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| MSL स्तर | MSL1 (260 °C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche tested | — |
| Green Package (RoHS) | RoHS compliant | — |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] | — |
| On-State Resistance (R DS(on)) | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] | — |
| Total Gate Charge (Q G) | [DATA_NEEDED: Q G typical] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 50 A |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 42 W |
| R_DS(on) Max (V_GS=10V) | — | 5.8 mΩ |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 305 pF |
| Gate Threshold (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th)] |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / Green | — | RoHS compliant, Green Product |