IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60R1K0PFD7SAUMA1 द्वारा Infineon और IPD600N25N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | IPD600N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 26 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1 Ω @ VGS=10V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max gate-source) | — |
| Gate Charge (QG) | 6 nC @ VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 230 pF @ 400 V | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (Tape & Reel) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full enhancement) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Series | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 3 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 25 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 136 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 60 mOhm at VGS = 10 V |
| गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |