IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R1K0PFD7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPD600N25N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | IPD600N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 26 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1 Ω @ VGS=10V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max gate-source) | — |
| Gate Charge (QG) | 6 nC @ VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 230 pF @ 400 V | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (Tape & Reel) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full enhancement) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Series | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 3 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 25 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 136 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 60 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate Eşik Voltage | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Klorürsüz | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |