IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD90P04P4L04ATMA2 द्वारा Infineon और IPB120P04P4L03ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD90P04P4L04ATMA2 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Part Number | IPD90P04P4L04ATMA2 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Family | OptiMOS-P2 | — |
| Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | -90 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 125 W | — |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | 4.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 (2 + Tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |