IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD90P04P4L04ATMA2 tarafından Infineon ve IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD90P04P4L04ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant (per Infineon product page)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Transistor Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin