IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD30N06S2L13ATMA4 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD90P04P4L04ATMA2 द्वारा Infineon और IPD30N06S2L13ATMA4 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD90P04P4L04ATMA2 IPD30N06S2L13ATMA4
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C —
पैकेज PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन की संख्या 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS स्थिति Compliant —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Part Family — OptiMOS
Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (Id) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 136 W (Tc)
ऑपरेटिंग तापमान — -55 °C to +175 °C (Tj)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Package)
Avalanche Tested — 100 % production-tested
Technology — Planar (OptiMOS)
On-State Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V]
Gate-Source Threshold (Vgs(th)) — Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max])
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V]
Diode Reverse Recovery (trr) — [DATA_NEEDED: trr typ]
पिन काउंट — 3 (Drain tab + Gate + Source)
Tape and Reel Packaging — Yes (T&R per IEC 60286-3)

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