IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD30N06S2L13ATMA4 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD90P04P4L04ATMA2 bằng Infineon và IPD30N06S2L13ATMA4 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD90P04P4L04ATMA2 | IPD30N06S2L13ATMA4 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Part Number | IPD90P04P4L04ATMA2 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Family | OptiMOS-P2 | — |
| Channel Type | P-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -40 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | -90 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 125 W | — |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | 4.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Hộp | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số lượng chân | 3 (2 + Tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Part Family | — | OptiMOS |
| Mode | — | Enhancement |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 30 A (Tc) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 136 W (Tc) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Package) |
| Avalanche Tested | — | 100 % production-tested |
| Technology | — | Planar (OptiMOS) |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] |
| Gate-Source Threshold (Vgs(th)) | — | Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] |
| Diode Reverse Recovery (trr) | — | [DATA_NEEDED: trr typ] |
| Số chân | — | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (T&R per IEC 60286-3) |