IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N04S408ATMA1 द्वारा Infineon और IPG20N10S4L35ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPG20N04S408ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 7.6mOhm OptiMOS | Infineon
IPG20N04S408ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG20N04S408ATMA1 | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | Dual N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | 20 A at 25 degC case | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 7.6 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | 65 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 degC to +175 degC | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (260 degC peak reflow) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | 100 percent tested | 100% Avalanche Tested |
| Channel Count | 2 (independent) | — |
| Operating Mode | Enhancement mode, Normal Level | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | — | 20 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | — | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 43 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 175°C max junction |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Series | — | OptiMOS™, Automotive |