IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPG20N04S408ATMA1 توسط Infineon و IPG20N10S4L35ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPG20N04S408ATMA1 | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | Dual N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | 20 A at 25 degC case | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 7.6 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | 65 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 degC to +175 degC | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | MSL1 (260 degC peak reflow) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | 100 percent tested | 100% Avalanche Tested |
| Channel Count | 2 (independent) | — |
| Operating Mode | Enhancement mode, Normal Level | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | — | 20 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | — | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 43 W |
| دمای کاری | — | 175°C max junction |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Series | — | OptiMOS™, Automotive |