IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N04S408ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N10S4L35ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N04S408ATMA1 | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | Dual N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | 20 A at 25 degC case | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 7.6 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | 65 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 degC to +175 degC | — |
| Paket | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | MSL1 (260 degC peak reflow) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | 100 percent tested | 100% Avalanche Tested |
| Channel Count | 2 (independent) | — |
| Operating Mode | Enhancement mode, Normal Level | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | — | 20 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | — | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 43 W |
| İşletim Sıcaklığı | — | 175°C max junction |
| Paket / Kas | — | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Series | — | OptiMOS™, Automotive |