IPG20N04S4L08AATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N04S4L08AATMA1 द्वारा Infineon और IPG20N04S4L08ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 8.2mΩ OptiMOS-T2 | Infineon
IPG20N04S4L08ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG20N04S4L08AATMA1 | IPG20N04S4L08ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | Dual N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| Technology | OptiMOS-T2 (Logic Level) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 20 A (per channel) | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max @ VGS=10V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> typ | 1.7 V | — |
| Gate Drive (Logic Level) | 4.5 V | — |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | 54 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +175°C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Peak Reflow Temperature | 260°C | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% tested) | — |
| RoHS / REACH | Compliant (Green Product) | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPG20N04S4L08ATMA1 |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | — | 20 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A | — | 8.2 mΩ |
| Power Dissipation (Pd) | — | 54 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55°C to +175°C |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) |
| Series | — | OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 |
| MSL स्तर | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) |
| Avalanche Tested | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / Green | — | RoHS Compliant, Green Product |
| Part Status | — | Active |