IPG20N04S4L08AATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPG20N04S4L08AATMA1 توسط Infineon و IPG20N04S4L08ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPG20N04S4L08AATMA1 IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPG20N04S4L08AATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type Dual N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology OptiMOS-T2 (Logic Level) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 20 A (per channel) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max @ VGS=10V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> typ 1.7 V —
Gate Drive (Logic Level) 4.5 V —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 54 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +175°C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Yes —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
RoHS / REACH Compliant (Green Product) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N04S4L08ATMA1
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C — 20 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A — 8.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 54 W
دمای کاری — -55°C to +175°C
بسته‌بندی / کیس — PG-TDSON-8-4 (TDSON-8)
Series — OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101
سطح MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Part Status — Active

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت