IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N04S4L11ATMA1 द्वारा Infineon और IPG20N10S4L35ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPG20N04S4L11ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG20N04S4L11ATMA1 | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | 20 A per channel | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | 11.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 41 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (260C peak reflow) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | AEC-Q101 |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Technology | OptiMOS-T2 trench | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | — | 20 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | — | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 43 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 175°C max junction |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) |
| Series | — | OptiMOS™, Automotive |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |