IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPG20N04S4L11ATMA1 מאת Infineon ו IPG20N10S4L35ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPG20N04S4L11ATMA1 | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | 20 A per channel | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | 11.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 41 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (260C peak reflow) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | AEC-Q101 |
| סטטוס RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Technology | OptiMOS-T2 trench | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | — | 20 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | — | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 43 W |
| טמפרטורת פעולה | — | 175°C max junction |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) |
| Series | — | OptiMOS™, Automotive |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |