IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N04S4L11ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N10S4L35ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ 25C 20 A per channel —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A 11.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Power Dissipation (PD) 41 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (260C peak reflow) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101
RoHS Durumu Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Technology OptiMOS-T2 trench —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N10S4L35ATMA1
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C — 20 A
R<sub>DS(on)</sub> Max — 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value]
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 43 W
İşletim Sıcaklığı — 175°C max junction
Paket / Kas — PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP)
Series — OptiMOS™, Automotive
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin