IPG20N06S2L65ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N06S2L65ATMA1 द्वारा Infineon और IPG20N06S2L65AATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type Dual N-Channel, Logic Level Dual N-Channel (Half Bridge / Independent)
Technology OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) OptiMOS Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A per channel 20 A (per channel)
RDS(on) at VGS=10V 65 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic level) —
Total Power Dissipation (Ptot) 43 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +175°C —
पैकेज PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर MSL1 (260°C peak reflow) MSL1 (peak reflow 260 C)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Packaging Tape & Reel (TMA1 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Power Dissipation (PD) — 43 W
Gate Threshold (VGS(th)) — Logic-Level
ऑपरेटिंग तापमान — -55 C to +175 C
AEC-Q101 Qualification — Yes
RoHS स्थिति — Compliant (Green Product)
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (wettable flank)

डेटाशीट और संसाधन

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