IPG20N06S2L65ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N06S2L65ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG20N06S2L65AATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type Dual N-Channel, Logic Level Dual N-Channel (Half Bridge / Independent)
Technology OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) OptiMOS Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A per channel 20 A (per channel)
RDS(on) at VGS=10V 65 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic level) —
Total Power Dissipation (Ptot) 43 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C —
پیکیج PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (260°C peak reflow) MSL1 (peak reflow 260 C)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Packaging Tape & Reel (TMA1 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Power Dissipation (PD) — 43 W
Gate Threshold (VGS(th)) — Logic-Level
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +175 C
AEC-Q101 Qualification — Yes
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Green Product)
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (wettable flank)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں