IPG20N06S4L14AATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N06S4L14AATMA1 द्वारा Infineon और IAUT300N08S5N012ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG20N06S4L14AATMA1 | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPG20N06S4L14AATMA1 | — |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 50 W | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 13.7 mΩ typical | — |
| RDS(on) at VGS=4.5V | 14 mΩ typical | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Logic-Level Gate Drive | Yes | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Peak Reflow Temperature | 260°C | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | Compliant |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| Technology | OptiMOS™ Trench | — |
| Product Family | — | OptiMOS™-5 80 V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1200 A (per datasheet, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |