IPG20N10S4L22AATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N10S4L22AATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG20N10S4L22AATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | Dual N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 20 A | — |
| On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 22 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 60 W | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| Lead Configuration | Wettable Flank | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | OptiMOS T2 | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55°C to +175°C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Channel Count | 2 (dual independent) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Qualification | — | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |