IPG20N10S4L22AATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPG20N10S4L22AATMA1 توسط Infineon و IAUCN08S7L033ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPG20N10S4L22AATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | Dual N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 20 A | — |
| On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 22 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 60 W | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| Lead Configuration | Wettable Flank | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | OptiMOS T2 | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| دمای کاری | -55°C to +175°C | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Count | 2 (dual independent) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| محدوده دمای کاری | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Qualification | — | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| سطح MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |