IPL60R065P7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPL60R065P7AUMA1 द्वारा Infineon और IPL60R105P7AUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPL60R065P7AUMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology Family | CoolMOS™ P7 (superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) | 41 A | — |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | 65 mΩ (max) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) | 201 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | 3.5 V | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) | 2895 pF | — |
| Rise Time (t<sub>r</sub>) | 7 ns | — |
| Fall Time (t<sub>f</sub>) | 4 ns | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>) | -55C to +150C |
| पैकेज | PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| पिन की संख्या | 4 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Polarity | Single N-channel | — |
| Drain to Source Voltage | 650 V (rating per AiEMA spec) | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) | 0.053 Ω | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Technology | — | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| Lead-Free | — | Yes |