IPL60R065P7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL60R065P7AUMA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPL60R065P7AUMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology Family | CoolMOS™ P7 (superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) | 41 A | — |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | 65 mΩ (max) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) | 201 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | 3.5 V | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) | 2895 pF | — |
| Rise Time (t<sub>r</sub>) | 7 ns | — |
| Fall Time (t<sub>f</sub>) | 4 ns | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>) | -55C to +150C |
| پیکیج | PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| پنز کی تعداد | 4 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Polarity | Single N-channel | — |
| Drain to Source Voltage | 650 V (rating per AiEMA spec) | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) | 0.053 Ω | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Technology | — | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| Lead-Free | — | Yes |