IPL60R180P6AUMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPL60R180P6AUMA1 द्वारा Infineon और IPD80R600P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPL60R180P6AUMA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | -20 V to +20 V (max) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 22.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 22 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | 180 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | 176 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | — |
| Storage Temperature Range | -55 °C to +150 °C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | [DATA_NEEDED: RθJC value] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) | 3 V (typical) |
| पैकेज | PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C |
| Polarity | — | N-Channel |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |