IPN60R2K0PFD7SATMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN60R2K0PFD7SATMA1 द्वारा Infineon और IPN70R1K4P7SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPN60R2K0PFD7SATMA1 | IPN70R1K4P7SATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | CoolMOS PFD7 | CoolMOS P7 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 600 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | 3 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 6 W | — |
| RDS(on) typical @ VGS=10V | 2.0 Ohm | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 1.626 Ohm (per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Input Capacitance (Ciss) | 134 pF @ 400 V (per UTMel listing) | — |
| Technology | CoolMOS superjunction | Superjunction (CoolMOS P7) |
| पैकेज | PG-SOT223-3-1 (SOT-223) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C (TJ) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant (per Newark listing) | Compliant |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) |
| Total Power Dissipation (PD) at TC | — | 6.2 W |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| DPAK Footprint Compatible | — | Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) |