IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPD70R1K4P7SAUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN70R1K4P7SATMA1 द्वारा Infineon और IPD70R1K4P7SAUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPN70R1K4P7SATMA1 | IPD70R1K4P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | CoolMOS P7 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Power Dissipation (PD) at TC | 6.2 W | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | Superjunction (CoolMOS P7) |
| पैकेज | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (TJ) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| DPAK Footprint Compatible | Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Family | — | CoolMOS P7 (700V Superjunction) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | — | 1.4 ohm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 23 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |