IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPD70R1K4P7SAUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN70R1K4P7SATMA1 tarafından Infineon ve IPD70R1K4P7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ Aktif
Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN70R1K4P7SATMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS P7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Power Dissipation (PD) at TC 6.2 W —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Superjunction (CoolMOS P7)
Paket PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) —
Configuration Single with built-in diode —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
DPAK Footprint Compatible Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Family — CoolMOS P7 (700V Superjunction)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID — 1.4 ohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 23 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Avalanche Energy Rated — Yes (100% avalanche tested)
ESD Protection — Integrated (per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin