IPN70R360P7SATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN70R360P7SATMA1 द्वारा Infineon और IPL60R105P7AUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPN70R360P7SATMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 700 V | — |
| Drain Current Continuous (Id, Tc=25°C) | 12.5 A | — |
| On-State Resistance Rds(on) max (Vgs=10V) | 360 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | 7.2 W | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | [DATA_NEEDED: Vgs max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) typ | 3.0 V | — |
| Technology | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| पैकेज | PG-SOT223 (3-pin, 2+Tab) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C (junction) | -55C to +150C |
| Storage Temperature Range | -55°C to +150°C | — |
| ESD Protection (HBM) | Class 1C | — |
| Drain Tab Connection | Pin 3 (Tab) | — |
| RoHS / REACH | Compliant (per Infineon product page) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |