IPN70R360P7SATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPN70R360P7SATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPL60R105P7AUMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPN70R360P7SATMA1 IPL60R105P7AUMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V —
Drain Current Continuous (Id, Tc=25°C) 12.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max (Vgs=10V) 360 mΩ —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 7.2 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vth) typ 3.0 V —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Channel Type N-Channel N-Channel
Kemasan PG-SOT223 (3-pin, 2+Tab) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +150°C (junction) -55C to +150C
Storage Temperature Range -55°C to +150°C —
ESD Protection (HBM) Class 1C —
Drain Tab Connection Pin 3 (Tab) —
RoHS / REACH Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Aras MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS — Compliant
Boson Bebas — Yes
Lead-Free — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga