IPN70R360P7SATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN70R360P7SATMA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 - 700V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R360P7SATMA1 - 700V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R360P7SATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPN70R360P7SATMA1 IPL60R105P7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V —
Drain Current Continuous (Id, Tc=25°C) 12.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max (Vgs=10V) 360 mΩ —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 7.2 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vth) typ 3.0 V —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Channel Type N-Channel N-Channel
پیکیج PG-SOT223 (3-pin, 2+Tab) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C (junction) -55C to +150C
Storage Temperature Range -55°C to +150°C —
ESD Protection (HBM) Class 1C —
Drain Tab Connection Pin 3 (Tab) —
RoHS / REACH Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس — Compliant
ہیلوجن فری — Yes
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں