IPN70R600P7SATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN70R600P7SATMA1 द्वारा Infineon और IPD80R600P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPN70R600P7SATMA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) N-Channel MOSFET | CoolMOS P7 super-junction |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 8.5 A | — |
| On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V | 600 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 6.9 W | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C (Tj) | -55 C to +150 C |
| पैकेज | PG-SOT223 (3-pin + tab), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Configuration | Pin 1 Gate, Pin 2 Drain, Pin 3 Source, Tab Drain | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL स्तर | Level 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Family Position | 700V CoolMOS P7, 600mΩ class | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V (typical) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| Polarity | — | N-Channel |